دانشمند ایرانی دانشگاه برکلی در تحقیقات موفق شد با استفاده از نانوستونهای نیمه رسانا پیلهای فتوولتائیکی را ایجاد کند که قادرند 99 درصد از تمام فوتونهای نور مرئی خورشید را جذب کنند. علی جاوه ای دانشمند ایرانی به همراه همکاران خود از لابراتوار ملی لارنس برکلی و دانشگاه کالیفرنیا در برکلی یک بسته متراکم از نانوستونهای سولفور ژرمانیم و کادمیوم را ایجاد کردند که می تواند 99 درصد از تمام فوتونهای با طول موج بین 300 تا 900 نانومتر را بدون نیاز به روکشهای ضد انعکاس جذب کند.نتایج تحقیقات این محقق ایرانی می تواند در بهبود بازده و میزان اثربخشی پیلهای فتوولتائیک خورشیدی نقش مهمی ایفا کند.علی جاوه ای در این خصوص توضیح داد: "برای بهبود میزان اثربخشی جذب نور در باند وسیعی از نانوستونها ما از یک ساختار دو قطری استفاده کردیم به طوری که قطر این ساختار در راس 60 نانومتر است که می تواند انعکاس را به حداقل برساند و نور بیشتری را به داخل هدایت کند. قطر پایه این ستون نیز 130 نانومتر است که حداکثر جذب نور را امکانپذیر کرده و اجازه می دهد تا نور بیشتری به برق تبدیل شود."این دانشمند ایرانی که نتایج تحقیقاتی خود را در مجله تخصصی  NANO Letters منتشر کرده است در ادامه افزود: "این ساختار دو قطری 99 درصد از نور مرئی را جذب می کند در حالی که نانوستونهای قبلی ما قادر بودند 85 درصد از نور را جذب کنند."

تاکنون تحقیقات تئوریک و تجربی نشان داده اند که یک بسته متراکم سه بعدی از نانوستونهای نیمه رسانا با قطر و طول مشخص در به دام انداختن نور بسیار عالی هستند. این مواد کمتر از نیمی از ماده نیمه رسانا را که برای پیلهای خورشیدی با فیلم نازک ساخته شده از تلور کادمیم نیاز است به کار می گیرند.این نانوستونها همچنین تنها به حدود یک درصد از ماده استفاده شده در پیلهای خورشیدی سیلیکونی نیاز دارند. باوجود این، تاکنون به علت مانع بزرگ پیچیدگی فرایند تولید از این نانوستونها استفاده نمی شد.جاوه ای و همکارانش نانوستونهای خود را بر روی قالبهای به دست آمده از ورقه آلومینیوم به ضخامت 5/2 میلیمتر ایجاد کردند.براساس گزارش Nanowerk LLC ، یک فرایند آند سازی در دو مرحله به این دانشمندان اجازه داد تا این بسته متراکم متخلخل دو قطری به ضخامت یک میکرومتر را به دست آورند که در آن قطر راس کمتر و قطر پایه بیشتر بود.سپس در خلل و فرجهای بسته، نانوستونهای طلا را برای کاتالیز کردن رشد نانوستونهای نیمه رسانا تزریق کردند.جاوه ای در این خصوص اظهار داشت: "این فرایند یک کنترل با دقت بسیار بالا را بر روی هندسه و شکل بسته متراکم نانوستونهای تک کریستالی ارائه می دهد. با ارتفاع تنها دو میکرون، بسته‌های نانوستونهای ما توانستند تمام فوتونهای با طول موج بین 300 تا 900 نانومتر را بدون نیاز به استفاده از روکشهای ضدفیلتر جذب کند."